NEC lança transistor de alto desempenho

Redação do Site Inovação Tecnológica - 27/12/2004

A empresa japonesa NEC anunciou o desenvolvimento de um novo transistor que utiliza uma estrutura de porta inovadora baseada em um dielétrico "high-k" à base de háfnio e em um eletrodo metálico. Além de maior velocidade, o novo transistor apresenta menor fuga de corrente.

A nova estrutura apresentou excelentes características, satisfazendo as exigências dos novos transistores de baixo consumo de energia baseados na tecnologia de 45 nanômetros.

Substituindo o silício policristalino convencional por silicieto de níquel como material construtivo dos eletrodos sobre um dielétrico de k elevado, a capacidade de condução de corrente do transistor foi incrementada em 20%. A baixa fuga de corrente, característica dos elementos "high- k" foi mantida.

O desenvolvimento de uma nova tecnologia para a construção de eletrodos à base de silicieto de níquel, com composição controlada - perfeitamente adequado a uma combinação com dielétricos "high-k" à base de háfnio - gerou uma larga faixa de controle da voltagem limite, que pode ser feita variando-se a composição da liga de silicieto de níquel, tudo num único processo produtivo. A técnica permite ótimas características de chaveamento tanto para transistores PMOS quanto NMOS.