Construído o transistor mais rápido do mundo

Redação do Site Inovação Tecnológica - 12/04/2005

Um novo tipo de estrutura para a construção de transistores, inventada por cientistas da Universidade de Illinois, Estados Unidos, quebrou a barreira de velocidade dos 600 gigahertz. O objetivo dos pesquisadores parece agora estar mais perto de se realizar: eles querem criar um transistor que opere na faixa dos terahertz, abrindo novas fronteiras de velocidade para a computação e as comunicações.

O novo componente, feito de fosfeto de índio e arseneto de gálio-índio, teve o coletor, o emissor e a base construídos com uma composição que se altera gradualmente ao longo de cada segmento, o que reduz o tempo de trânsito e aumenta a densidade de corrente. Batizado de transístor bipolar de heterojunção pseudomórfico, o componente atingiu a velocidade de 604 gigahertz - o que o torna o transistor mais rápido em operação até hoje.

"A graduação pseudomórfica da estrutura do material nos permitiu baixar a 'bandgap' [região entre a banda de valência e a banda de condução] em áreas selecionadas," afirmou Milton Feng, um dos criadores do novo transistor. "Isto permite um fluxo de elétrons mais rápido no coletor. A composição gradativa dos componentes do transistor também aumenta a densidade de corrente e o tempo de carregamento do sinal."

O professor Feng e seu estudante Walid Hafez, descreveram o novo transistor em um artigo publicado ontem (11/04), no periódico Applied Physics Letters.

O objetivo de se construir um transistor que opere na faixa dos terahertz não é possível com as estruturas atuais. "Para atingir tal velocidade em um transistor comum, a densidade de corrente se tornaria tão grande que ela fundiria os componentes. No nosso transistor pseudomórfico, nós podemos operar a altas freqüências com menor densidade de corrente. Com essa nova estrutura, um transistor que opere na faixa de terahertz poderá ser possível," conclui Feng.