Eletrônica

Eletricidade flui até 100 vezes mais rápido em folhas de grafeno

Eletricidade flui até 100 vezes mais rápido em folhas de grafeno

Físicos da Universidade de Maryland, nos Estados Unidos, demonstraram que o grafeno - uma folha super-fina, formada por uma única camada de átomos de carbono - tem melhor capacidade de condução elétrica do que qualquer material conhecido, operando à temperatura ambiente.

O grafeno ganhou fama em 2007, quando os cientistas conseguiram utilizá- lo para construir um transístor, abrindo caminho para uma nova geração de semicondutores (veja Chips de carbono mais próximos graças a técnica que substitui silício por grafeno ).

Vibrações termais no grafeno

Aquela expectativa de que o futuro guarda um lugar importante para o grafeno agora foi reforçada com esta nova descoberta. A equipe do Dr. Michael Fuhrer verificou que as vibrações termais têm um efeito extraordinariamente baixo sobre os elétrons no grafeno.

A energia associada com a temperatura de um material faz com que seus átomos vibrem. Quando os elétrons viajam através desse material, eles se chocam com esses "átomos vibrantes", o que resulta em uma resistência à passagem da corrente elétrica - representada pelo próprio movimento dos elétrons.

Resistência elétrica intrínseca

Esse é o tipo de resistência elétrica chamada intrínseca, porque ela faz parte da própria estrutura do material. Só se consegue acabar com ela resfriando-se o material até próximo do zero absoluto.

No grafeno, a vibração termal produz uma resistência de apenas 1 micro-Ohm por centímetro quadrado - 35% menos do que o cobre, o elemento com menor resistência a temperatura ambiente que se conhecia até agora.

Mobilidade dos elétrons

Para os semicondutores, utiliza-se uma medida diferente para se quantificar a rapidez com que os elétrons se movem: a mobilidade. O limite de mobilidade dos elétrons no grafeno é de 200.000 cm2/Vs - em comparação com 1.400 cm2/Vs no silício, e 77.000 cm2/Vs no antimoneto de índio, o semicondutor de mais alta mobilidade que se conhece.

Os grafenos produzidos hoje ainda deixam bastante a desejar em termos de pureza e têm pouco a ver com a estrutura teórica mostrada na ilustração. Além disso, por serem muito finos, eles precisam ficar apoiados em um substrato, geralmente de silício.

Os átomos do substrato acabam interferindo com a condução ótima do grafeno, o que coloca desafios para os pesquisadores em termos de encontrar formas de fabricar e utilizar o grafeno que possam tirar proveito de todo o seu potencial. Para conhecer mais sobre o grafeno, veja o artigo Transistor mais fino do mundo é feito com folha de grafeno.

Bibliografia:

Intrinsic and Extrinsic Performance Limits of Graphene Devices on SiO2
Jian-Hao Chen, Chaun Jang, Shudong Xiao, Masa Ishigami, Michael S. Fuhrer
Nature Nanotechnology
23 March 2008
Vol.: Published online
DOI: 10.1038/nnano.2008.58




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