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Eletrônica

FeTRAM: memória não-volátil consome 99% menos energia

Redação do Site Inovação Tecnológica - 29/09/2011

FeTRAM: memória não-volátil consome 99% menos energia
Diagrama da memória FeTRAM, uma memória que não perde dados na ausência de energia com potencial para consumir 99% menos energia.[Imagem: Birck Nanotechnology Center, Purdue University]

Leitura não-destrutiva

Combinando nanofios de silício e um plástico ferroelétrico, pesquisadores desenvolveram um novo tipo de memória de computador.

Como acontece com todos os novos tipos de memória de computador, este promete ser mais rápido e consumir menos energia - com a vantagem de não perder os dados quando o computador é desligado.

De fato, seu projeto é mais simples, o que torna possível consumir muito menos energia.

A nova memória é bastante similar às já bem conhecidas memórias ferroelétricas, ou FeRAMs.

Sua grande vantagem é que a informação armazenada no material ferroelétrico pode ser lida de forma não-destrutiva - a leitura não destrói o dado.

Com isto, torna-se possível armazenar o dado usando um transístor ferroelétrico, em vez de um capacitor, como nas atuais FeRAMs.

Transístor ferroelétrico

O polímero ferroelétrico muda de polaridade sob a ação de um campo elétrico, permitindo seu uso como um transístor ferroelétrico - na prática, uma célula de memória que não perde os dados depois que a energia é desligada.

A nova tecnologia é chamada FeTRAM, uma sigla para memória de acesso aleatório com transístor ferroelétrico.

"Nós desenvolvemos a teoria e fizemos o experimento, e também demonstramos que ele funciona em um circuito," afirmou Saptarshi Das, da Universidade Purdue, nos Estados Unidos.

Graças à eliminação do capacitor, a memória não-volátil tem potencial para usar 99% menos energia do que uma memória flash - como as usadas nos pen-drives.

"Entretanto, nosso dispositivo ainda consome mais energia porque ele ainda não foi adequadamente miniaturizado," pondera Das. "Para as futuras gerações da tecnologia FeTRAM um dos principais objetivos será a redução da dissipação de potência. Eles também poderão ser mais rápidos do que qualquer outro tipo de memória."

Bibliografia:

FETRAM. An Organic Ferroelectric Material Based Novel Random Access Memory Cell
Saptarshi Das, Joerg Appenzeller
Nano Letters
Vol.: 11 (9), pp 4003-4007
DOI: 10.1021/nl2023993
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