Logotipo do Site Inovação Tecnológica





Eletrônica

Memristores transparentes permitem antever tecnologias do futuro

Redação do Site Inovação Tecnológica - 29/09/2012

Memristores transparentes deixam ver tecnologias do futuro
O óxido de estanho-zinco não é apenas muito mais barato, como é também transparente.
[Imagem: Santosh Murali]

Cérebro transparente

Os memristores são componentes eletrônicos tão promissores que são chamados de sinapses artificiais.

Um memristor é um componente com um comportamento similar ao do resistor, mas capaz de "lembrar seu passado", o que significa que ele funciona como uma memória não-volátil - seu nome é uma junção de memória e resistor.

Santosh Murali e seus colegas da Universidade de Oregon, nos Estados Unidos, juntaram agora os memristores com a eletrônica transparente, dando um vislumbre do que poderá ser a tecnologia dos gadgets do futuro.

A eletrônica transparente promete produtos inovadores, que ainda não existem, como telas mostrando informações nos pára-brisas dos automóveis, ou navegar na internet no tampo de vidro de uma mesa.

Já as sinapses eletrônicas estão se estabelecendo com o nome de RRAM, ou memórias de acesso aleatório resistivas, com várias vantagens em relação às memórias flash atuais.

Óxidos semicondutores

Os pesquisadores demonstraram que é possível fabricar memristores usando óxido de zinco e estanho, um material bem conhecido da indústria eletrônica.

Algumas das melhores oportunidades para esses novos semicondutores feitos de óxido amorfos não estão no campo das memórias, mas na área dos chamados filmes finos, usados na fabricação de telas e monitores, entre outras possibilidades.

Nesse caminho, o composto mais próximo da comercialização é o óxido de zinco-gálio-índio.

O inconveniente é que o gálio e o índio estão se tornado cada vez mais caros.

Já o óxido de estanho-zinco, agora sintetizado por Murali e seus colegas, não é apenas muito mais barato, como é também transparente.

Os pesquisadores esperam agora caracterizar rapidamente as propriedades físicas e elétricas do novo composto, a tempo de oferecê-lo como uma alternativa mais viável para a indústria.

Bibliografia:

Artigo: Resistive switching in zinc-tin-oxide
Autores: Santosh Murali, Jaana S. Rajachidambaram, Seung-Yeol Han, Chih-Hung Chang, Gregory S. Herman, John F. Conley
Revista: Solid-State Electronics
Vol.: In Press
DOI: 10.1016/j.sse.2012.06.016
Seguir Site Inovação Tecnológica no Google Notícias





Outras notícias sobre:
  • Semicondutores
  • Telas e Monitores
  • Eletrônica Orgânica
  • Biomecatrônica

Mais tópicos