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Eletrônica

Miniaturização de chips chega aos 25 nanômetros. E há espaço para mais.

Redação do Site Inovação Tecnológica - 15/07/2008

Miniaturização de chips chega aos 25 nanômetros. E há espaço para mais.
O novo processo de litografia de alta precisão trabalho com wafers de 300 mm.
[Imagem: Ralf Heilmann]

Pesquisadores do MIT aperfeiçoaram a tecnologia de fotolitografia, utilizada para a construção de chips, conseguindo criar linhas com 25 nanômetros de largura, espaçadas entre si igualmente por 25 nanômetros.

Chips e nanômetros

A técnica avança mais um nível na miniaturização dos microprocessadores. Hoje, a maioria dos chips disponíveis comercialmente é construída com tecnologia de 65 nanômetros. Algumas fábricas já avançaram rumo aos 45 nanômetros e a Intel anunciou que começará a fabricar processadores com componentes de 32 nanômetros em 2009.

Na agenda da indústria, a fabricação de componentes eletrônicos em escala industrial com dimensões na escala de 25 nanômetros está prevista para acontecer entre 2013 e 2015.

Eletrônica e nanotecnologia

Além da importância para a indústria eletrônica, uma técnica óptica para fabricação de dispositivos nesta escala pode ser importante para a nanotecnologia, que possui vários avanços já demonstrados em laboratório mas ainda sem viabilidade para serem construídos em escala industrial.

Litografia por interferência de alta precisão

A nova técnica é baseada em um processo chamado litografia por interferência. Acrescentando a ele um instrumento chamado nanorrégua, os cientistas criaram um novo processo que batizaram de litografia por interferência de alta precisão.

Ondas sonoras de 100 MHz, controladas por um sistema eletrônico de alta velocidade, são utilizadas para dirigir e alterar a freqüência da luz de um laser, o que permite a produção dos componentes com alta precisão e sobre grandes áreas.

Há espaço para mais

"O que nós estamos descobrindo é que o controle do processo de imageamento litográfico não é mais o fator limitante. Questões de material, como a aspereza do lado externo das linhas agora são a principal barreira para atingirmos escalas ainda menores. Entretanto, há várias novas tecnologias no horizonte que têm o potencial para solucionar esses problemas. Esses resultados demonstram que ainda temos muito caminho para diminuição da escala na litografia óptica. Nós não vemos ainda qualquer barreira insuperável," disse o pesquisador Mark Schattenburg.

Bibliografia:

Artigo: Fabrication of 50 nm period gratings with multilevel interference lithography
Autores: Mark Schattenburg, Ralf Heilmann, Chih-Hao Chang, Yong Zhao
Revista: Optics Letters
Data: July 10, 2008
Vol.: 33, Issue 14, pp. 1572-1574
DOI: 10.1364/OL.33.001572
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