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Nanotecnologia

Nanoestruturas são mapeadas em 3D por pesquisadores brasileiros

Fábio de Castro - Agência Fapesp - 27/10/2009

Nanoestruturas são mapeadas em 3D por pesquisadores brasileiros
Associando duas técnicas de microscopia eletrônica, pesquisadores do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron desenvolvem método capaz de mapear em três dimensões a composição química de nanoestruturas.
[Imagem: Montoro et al.]

Combinando duas técnicas diferentes, pesquisadores do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS), em Campinas (SP), desenvolveram uma metodologia inédita capaz de mapear em três dimensões a composição química de nanoestruturas.

De acordo com Antonio Ramirez, a metodologia determina a composição química tridimensional das estruturas com dimensões de poucos nanômetros a partir de imagens obtidas por meio de microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução (HRTEM).

"Essas imagens foram obtidas com uma técnica conhecida como reconstrução por série focal (FSR), um procedimento usado para obter imagens livres das aberrações do sistema óptico do microscópio. Essas imagens, com alta qualidade e resolução de picômetros, foram aliadas à técnica de análise de fase geométrica (GPA), que permite um mapeamento bidimensional de distorções estruturais", disse Ramirez.

Deformações estruturais

Segundo o pesquisador, a abordagem adotada pelo grupo brasileiro consistiu em usar os resultados obtidos com a combinação das duas técnicas para calcular a composição química das nanoestruturas a partir das medidas de suas deformações estruturais.

"Essas distorções, em diferentes direções cristalográficas, forneceram informações tridimensionais sobre o arranjo químico das nanoestruturas, com resolução espacial em escala nanométrica. Ao combinar as técnicas, conseguimos reconstituir a composição química nanoestrutural dessas estruturas", disse.

O Laboratório de Microscopia Eletrônica (LME) do LNLS é um laboratório multiusuário, que recebe cerca de 150 pesquisadores por ano. Em seus 11 anos, tornou-se referência em microscopia eletrônica, especialmente na área de química.

Ilhas de germânio-silício

Para realizar a pesquisa, o grupo utilizou ilhas epitaxiais de germânio-silício. "Trata-se de um sistema clássico de semicondutores. Foi um dos autores do estudo, Gilberto Medeiros-Ribeiro, que desenvolveu esse sistema", disse Ramirez.

No sistema, o germânio é depositado sobre uma superfície de nanocristais de silício - que se caracteriza por ser bastante plana - previamente aquecida a uma temperatura de cerca de 500º C. Conforme as camadas vão sendo depositadas, o germânio forma estruturas piramidais - ou "ilhas" - sobre o silício.

"O germânio e o silício têm a mesma estrutura cristalina, isto é, seus átomos se organizam em ordem semelhante. Mas seus tamanhos são ligeiramente diferentes e, por isso, o acúmulo de diversas camadas do germânio provoca distorções tão pronunciadas que formam as ilhas. Parte do silício, no entanto, é puxada para dentro dessas estruturas", contou.

Medição de alta precisão

Ramirez explica que as características desse sistema de estruturas cristalinas já haviam sido medidas em outros trabalhos com o uso de difração de raios X. Mas trata-se de uma medição muito genérica, que pressupõe determinadas distribuições.

"No nosso caso, é como se tivéssemos produzido fotos da composição dessas estruturas a partir de vários ângulos. Com isso, temos informações obtidas a partir de várias direções e, com um tratamento matemático, começamos a fazer um mapeamento tridimensional da química da nanoestrutura", disse.

Segundo o pesquisador, um aspecto importante do trabalho é que, em vez de apenas utilizar os dados obtidos por microscopia eletrônica de transmissão, o estudo agregou conhecimento ao contribuir com o desenvolvimento de novas técnicas.

"Estando em um laboratório nacional, que oferece essas técnicas avançadas, é parte da nossa obrigação não apenas utilizá-las, mas ajudar a desenvolvê-las. Essa metodologia poderá abrir novas portas para o estudo e a caracterização de materiais tecnologicamente importantes em áreas como a eletrônica", disse.

Bibliografia:

Artigo: Quantitative 3D Chemical Arrangement on Ge-Si Nanostructures
Autores: Luciano A. Montoro, Marina S. Leite, Daniel Biggemann, Fellipe G. Peternella, K. Joost Batenburg, Gilberto Medeiros-Ribeiro, Antonio J. Ramirez
Revista: Journal of Physical Chemistry C
Vol.: 113 (21), pp 9018-9022
DOI: 10.1021/jp902480w
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