Eletrônica

Reinvenção dos transistores poderá estender Lei de Moore

Reinvenção dos transistores poderá estender Lei de Moore
Nanofio de germânio conectado a dois grandes eletrodos de ouro.[Imagem: Damon Smith]

Barreira dos efeitos quânticos

A Lei de Moore estabelece que a densidade dos transistores no interior dos circuitos integrados dobra a cada 18 ou 24 meses, dependendo da "versão da lei" que se escolhe usar.

Mas os especialistas afirmam que as coisas poderão chegar a um beco sem saída quando os transistores começarem a ser fabricados em dimensões abaixo dos 20 nanômetros. Abaixo dessas dimensões, afirmam eles, os efeitos quânticos se tornarão tão marcantes que o funcionamento do transístor poderá ser inviabilizado.

Semicondutores magnéticos

Agora, cientistas do Laboratório Nacional de Física, nos Estados Unidos, descobriram que pode ser possível sustentar a miniaturização dos transistores muito abaixo dos 20 nanômetros, graças a técnicas avançadas de semicondutores magnéticos.

Os pesquisadores fabricaram nanofios monocristalinos de germânio dopado com manganês. O nanofio apresenta um ferromagnetismo acima de 300 K e um desempenho superior em vários parâmetros importantes para a fabricação dos semicondutores em escala industrial, incluindo uma mobilidade de cargas positivas (lacunas) de cerca de 340 cm2/Vs.

Substituição do silício pelo germânio

A solução para a continuidade da miniaturização dos circuitos integrados, e para a conseqüente manutenção da validade da Lei de Moore, seria, segundo os pesquisadores, a substituição do silício por estes fios de germânio.

"A solução reside em mudar não apenas o material, mas também a estrutura dos nossos transistores. Nós temos trabalhado principalmente com nanofios de germânio que nós tornamos magnéticos," dizem os cientistas.

O germânio já é largamente utilizado como dopante pela indústria eletrônica. Mas não existem semicondutores magnéticos na natureza. Tornar o germânio magnético é o que torna esta pesquisa tão promissora.

"O germânio é muito compatível com o silício, o que significa que ele pode ser facilmente utilizado com a eletrônica atual do silício sem maiores alterações nos projetos. Os transistores feitos com a tecnologia de nanofios de germânio, que poderão revolucionar a computação e os equipamentos eletrônicos, podem realisticamente serem fabricados dentro de 10 anos," concluem os cientistas.

Bibliografia:

Single Crystalline Ge1-xMnx Nanowires as Building Blocks for Nanoelectronics
Machteld I. van der Meulen, Nikolay Petkov, Michael A. Morris, Olga Kazakova, Xinhai Han, Kang L. Wang, Ajey P. Jacob, Justin D. Holmes
Nano Letters
Vol.: Article ASAP
DOI: 10.1021/nl802114x




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