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Samsung anuncia produção de grafeno em larga escala

Samsung anuncia produção de grafeno em larga escala
Diversas "sementes" de carbono (no alto) se juntam para formar um cristal homogêneo de grafeno.[Imagem: Jae-Hyun Lee et al./Science]

Fabricação industrial de grafeno

Pesquisadores da Samsung e da Universidade Sungkyungkwan, na Coreia do Sul, anunciaram ter descoberto uma técnica para fabricar grafeno em larga escala.

O grafeno tem qualidades imbatíveis em vários campos, tendo mostrado todo o seu potencial em laboratório.

Contudo, fabricar essa camada monoatômica de carbono não é uma tarefa fácil.

Os pesquisadores que ganharam o Prêmio Nobel pela descoberta do grafeno fabricaram suas primeiras amostras colando uma fita adesiva sobre um bloco de carvão - até hoje grande parte do grafeno usado nos experimentos é feito assim.

Agora, Jae-Hyun Lee e seus colegas anunciaram em um artigo na revista Science a descoberta de uma forma para fabricar camadas perfeitas de grafeno sobre pastilhas de silício.

"Aqui, descrevemos o crescimento em escala de pastilhas [wafers] de monocamadas de grafeno de cristal único, livres de rugas, em pastilha de silício usando uma camada de buffer de germânio terminada em hidrogênio," escrevem eles.

A simetria dos cristais de germânio permitiu o alinhamento de diversas "sementes" de carbono, que, quando crescem, se juntam para formar um cristal homogêneo de grafeno.

Como o grafeno não adere ao germânio, ele é transferido para uma pastilha de silício, enquanto o germânio é reaproveitado para fazer novos cristais.

"Este é um dos avanços mais significativos nas pesquisas com grafeno na história. Esperamos que esta descoberta acelere a comercialização do grafeno, o que poderia alavancar a próxima era da tecnologia da eletrônica de consumo," disse a Samsung em nota.

Bibliografia:

Wafer-Scale Growth of Single-Crystal Monolayer Graphene on Reusable Hydrogen-Terminated Germanium
Jae-Hyun Lee, Eun Kyung Lee, Won-Jae Joo, Yamujin Jang, Byung-Sung Kim, Jae Young Lim, Soon-Hyung Choi, Sung Joon Ahn, Joung Real Ahn, Min-Ho Park, Cheol-Woong Yang, Byoung Lyong Choi, Sung-Woo Hwang, Dongmok Whang
Science
Vol.: Published Online
DOI: 10.1126/science.1252268




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