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Eletrônica

Computação instantânea: silício adquire propriedade da ferroeletricidade

Redação do Site Inovação Tecnológica - 30/04/2009

Boot instantâneo: silício adquire propriedade da ferroeletricidade
Os pesquisadores fizeram coincidir o espaçamento entre os átomos de silício e o espaçamento entre os átomos do titanato de estrôncio, permitindo que o silício acomodasse o titanato de estrôncio e apresentasse a propriedade da ferroeletricidade.
[Imagem: Jeremy Levy, University of Pittsburgh]

Um grupo de cientistas de várias universidades norte-americanas conseguiu adicionar a propriedade da ferroeletricidade aos transistores tradicionais de silício, usados na fabricação dos microprocessadores e da maior parte dos chips.

Com a ferroeletricidade, os computadores não perdem os dados quando são desligados, o que significa que eles estarão sempre prontos para o uso, como já acontece hoje com os cartões inteligentes usados pelos bancos e em várias aplicações de segurança.

Computação instantânea

O ritmo alucinado que a vida moderna tomou muitas vezes torna inaceitável a demora que leva um computador para dar o boot, carregar o sistema operacional e ficar pronto para o uso.

Embora esse fenômeno não impacte muito o usuário doméstico, a chamada computação instantânea, na qual o computador fica pronto para uso imediatamente ao ser ligado, pode fazer grande diferença no ambiente industrial e das grandes corporações, onde os computadores costumam travar justamente quando mais se precisa deles - e a espera pela sua reinicialização pode representar prejuízos reais.

Materiais ferroelétricos

Os materiais ferroelétricos permitem a criação de memórias eletrônicas de alta eficiência e baixo consumo de energia. Com elas, os computadores poderão fornecer dados aos usuários de forma instantânea, sem que eles precisem esperar pelo tradicional boot.

Os pesquisadores depositaram titanato de estrôncio - uma variante normalmente não ferroelétrica do material ferroelétrico que é usado nos cartões inteligentes - sobre o silício, o principal componente das memórias e circuitos integrados em geral. O resultado foi um silício com um estado ferroelétrico.

"Vários transistores híbridos têm sido propostos tendo-se em mente especificamente a ferroeletricidade," explica o Dr. Darrell Schlom, que coordenou a pesquisa. "Ao criar a ferroeletricidade diretamente sobre o silício nós estamos trazendo essa possibilidade mais perto da realização."

Ainda há desafios a vencer e mais pesquisas serão necessárias até que a computação instantânea torne-se uma realidade, mas colocar os dois tipos de material em contato diretamente, sem qualquer camada intermediária, é um passo importante.

Bibliografia:

Artigo: A Ferroelectric Oxide Made Directly on Silicon
Autores: Maitri P. Warusawithana, Cheng Cen, Charles R. Sleasman, Joseph C. Woicik, Yulan Li, Lena Fitting Kourkoutis, Jeffrey A. Klug, Hao Li, Philip Ryan, Li-Peng Wang, Michael Bedzyk, David A. Muller, Long-Qing Chen, Jeremy Levy, Darrell G. Schlom
Revista: Science
Data: 17 April 2009
Vol.: 324: 367-370
DOI: 10.1126/science.1169678
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