IBM constrói célula de memória SRAM duas gerações à frente

Redação do Site Inovação Tecnológica - 19/08/2008

[Imagem: IBM]

A IBM anunciou a construção da menor célula de memória de acesso randômico estática (SRAM) já feita, utilizando os padrões da indústria e dando a primeira demonstração prática da construção de componentes eletrônicos com tecnologia de 22 nanômetros.

Célula de memória SRAM

A célula SRAM utiliza o projeto tradicional baseado em seis transistores e ocupa uma área de 0,1 micrômetro quadrado. O feito foi alcançado com a participação de vários parceiros de desenvolvimento, entre eles a AMD, Freescale, STMicroelectronics e Toshiba, além de laboratórios universitários.

Os chips SRAM são os precursores de circuitos mais complexos, como os microprocessadores. Como o objetivo é viabilizar a produção industrial em futuro próximo, a demonstração da nova célula SRAM foi feita utilizando pastilhas de silício de 300 milímetros, com as atualmente utilizadas pela indústria.

Gerações de miniaturização

"Nós estamos trabalhando no limite do possível - progredindo rumo a tecnologias de semicondutores mais avançadas, de próxima geração. Este novo desenvolvimento é um passo crítico na busca da miniaturização contínua na microeletrônica," disse T. C. Chen, da IBM, em comunicado da empresa.

A escala de 22 nanômetros representa duas gerações à frente na miniaturização da eletrônica, que ainda deverá passar pela faixa dos 32 nanômetros. Atualmente, o estado da arte é considerado como sendo a escala de 45 nanômetros, embora poucas fábricas já estejam fabricando seus chips nessa escala.