Logotipo do Site Inovação Tecnológica





Eletrônica

Memória multinível armazena múltiplos bits

Redação do Site Inovação Tecnológica - 03/12/2014

Memória multinível armazena múltiplos bits
O protótipo consegue armazenar até seis bits de memória em uma única célula.
[Imagem: Curtis O'Kelly et al. - 10.1021/nn505139m]

Memória com múltiplos bits

Pesquisadores irlandeses desenvolveram um componente que promete aumentar a velocidade da interação entre o processador e a memória dos computadores e de outros equipamentos eletrônicos.

Em vez de cada célula de memória armazenar apenas um bit, Curtis O'Kelly e seus colegas do Trinity College desenvolveram uma memória com vários níveis na qual é possível programar uma série de bits armazenados em uma única célula.

A expectativa é que essa "memória multinível" aumente a velocidade de comunicação entre o processador e a memória, sendo necessário consultar menos células de memória para obter as mesmas informações. É como se processador e memória pudessem passar a conversar usando palavras em vez de letras.

"Os processadores e a memória se comunicam usando a desajeitada linguagem binária. Por exemplo, 2014 em linguagem binária requer 11 células de memória. Leva tempo para o processador acessar um número tão grande de células e assim o desempenho geral é prejudicado. O novo processo reduz o número de células necessárias," explica o professor John Boland, coordenador da equipe.

Memristor

O princípio usado é o da memória resistiva, um tipo de memristor que vem prometendo coisas como memórias mais inteligentes, sinapses artificiais e computadores que imitam o cérebro.

Como opera com diferentes resistências à passagem das cargas elétricas, a memória resistiva permite ajustar arbitrariamente o número de níveis de memória dentro de cada célula, cada bit sendo armazenado em um desses níveis.

Os protótipos de memristor criados pela equipe consistem em um único nanofio de óxido de titânio. "As pesquisas doravante serão focadas na integração desta tecnologia com as técnicas de fabricação da indústria," disse o professor Boland.

Bibliografia:

Artigo: A Single Nanoscale Junction with Programmable Multilevel Memory
Autores: Curtis O Kelly, Jessamyn A. Fairfield, John J. Boland
Revista: ACS Nano
Vol.: 8 (11), pp 11724-11729
DOI: 10.1021/nn505139m






Outras notícias sobre:
  • Semicondutores
  • Transistores
  • Inteligência Artificial
  • Biomecatrônica

Mais tópicos