Transístor mais rápido do mundo se aproxima da barreira de 1 Terahertz

Redação do Site Inovação Tecnológica - 14/12/2006

O professore Milton Feng e sua equipe, da Universidade de Illinois (Estados Unidos), superaram-se mais uma vez. Criadores do primeiro transístor óptico, do primeiro transístor laser e atuais detentores do recorde de velocidade de operação dos transistores tradicionais, acabam de estabelecer um novo recorde: eles construíram um transístor que opera a 845 gigahertz.

Seu recorde anterior era de 604 gigahertz, estabelecido em Abril do ano passado, o que mostra que eles estão progredindo rapidamente rumo à sua proposta de construir um transístor capaz de operar na faixa dos terahertz. Com a atual marca (845 gigahertz) eles estão cerca de 300 gigahertz à frente dos outros pesquisadores.

O transístor mais rápido do mundo é um aprimoramento do componente detentor do recorde anterior, sendo feito basicamente com a mesma tecnologia: é um transístor bipolar de heterojunção pseudomórfico, feito de fosfeto de índio e arseneto de gálio-índio, com o coletor, o emissor e a base construídos com uma composição que se altera gradualmente ao longo de cada segmento, o que reduz o tempo de trânsito e aumenta a densidade de corrente.

Os cientistas aprimoraram seu processo de fabricação para construir transistores menores - é por isso que o mesmo tipo de transístor se tornou tão mais rápido. A base do novo transístor tem apenas 12,5 nanômetros de espessura.

"Nós reduzimos a distância que os elétrons têm que viajar, resultando em um aumento na velocidade do transístor," explica o estudante William Snodgrass, que participou das pesquisas. "Como o tamanho do coletor também foi reduzido lateralmente, o transístor consegue carregar e descarregar mais rapidamente."

Operando a temperatura ambiente (25º C) a velocidade do novo transístor é de 765 gigahertz. O recorde de 845 gigahertz foi batido com o transístor funcionando a uma temperatura de -55º C.