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Eletrônica

Cientistas suecos surpreendem com nanotransístor 50 vezes mais rápido

Redação do Site Inovação Tecnológica - 29/04/2008

Cientistas suecos surpreendem com nano-transístor 50 vezes mais rápido

Há poucos dias atrás cientistas apresentaram um transístor de grafeno que eles argumentaram ser o menor já fabricado (veja Menor transístor do mundo é criado com grafeno). O grafeno é um material de última geração e, ao lado dos seus primos, os nanotubos de carbono, é um dos mais promissores para futuras gerações de dispositivos nas mais diversas áreas.

Nanotransístor

Agora um grupo de cientistas suecos surpreendeu o mundo ao anunciar a fabricação de um nanotransístor que é feito não com materiais de fronteira, mas com uma liga semicondutora largamente conhecida pela indústria - o arseneto de índio (InAs). E o nanotransístor também tem dimensões na faixa dos 10 nanômetros de tamanho, como o de grafeno mostrado na reportagem indicada acima.

Hoje os transistores são fabricados em um processo "de cima para baixo", escavando-se o silício por um processo chamado fotolitografia. A equipe do Dr. Lars-Erik Wernersson, da Universidade de Lund, partiu do enfoque oposto, construindo o seu transístor de baixo para cima, ou seja, fazendo-o crescer naturalmente como um cristal.

Os cientistas já sabem que não conseguirão avançar a miniaturização além de determinadas dimensões com as tecnologia atual, baseada no silício.

Transístor de arseneto de índio

"Mas nosso modelo é feito de arseneto de índio, no qual os elétrons se movem mais facilmente em comparação com o silício, o material semicondutor comumente utilizado para a fabricação de transistores. De fato, é difícil produzir transistores com arseneto de índio, mas se nós aplicamos a nanotecnologia, torna-se muito simples," explica Wernersson.

Método de baixo para cima

O método "de baixo para cima" começa com a deposição de nanopartículas de ouro sobre um substrato semicondutor. O processo de crescimento do cristal faz com que um nanofio de arseneto de gálio se forme debaixo da nanopartícula de ouro. A técnica permite que cada nanofio seja posicionado com exatidão, possibilitando a criação de nanoestruturas complexas.

"Nós construímos conjuntos densos de componentes que se projetam da superfície. É um método barato e simples de produção que, em comparação com a tecnologia existente, dá uma densidade muito maior. Os nanotransistores podem ser feitos numa escala de 10 nanômetros [...] e nós podemos vislumbrar exatamente como poderemos fazê-los ainda menores," diz outro pesquisador do grupo, o Dr. Lars Samuelsson.

Os pesquisadores também afirmam que poderão construir transistores que operem em freqüências de até 60 GHz, em comparação com a faixa entre 3 e 10 GHz dos componentes atuais.

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