Eletrônica

"Memória universal" usa propriedades quânticas e não perde dados

Uma empresa emergente norte-americana afirma ter conseguido viabilizar uma nova tecnologia capaz de criar uma "memória universal", uma nova memória de computador que utiliza o fenômeno quântico do spin do elétron. Além de não perder dados quando a energia é desligada, a nova memória é mais rápida e pode ser miniaturizada além do que é possível com as memórias atuais.

Memórias não-voláteis

Existem várias tecnologias competindo pela supremacia técnica no campo das memórias, onde os quesitos mais importantes são velocidade, baixo consumo de energia e possibilidade de miniaturização. Mas é a não-volatilidade - a capacidade de manter os dados mesmo na ausência de energia - que parece ser um elemento essencial.

Já existem memórias ferromagnéticas disponíveis no mercado. As MRAM (memórias magnetoresistivas) não chegaram a ser produzidas pelos grandes fabricantes, aparentemente porque não se adequam aos processos de fabricação abaixo dos 90 nanômetros. As memórias de alteração de fase , por sua vez, já estão se aproximando da comercialização (veja mais em As sucessoras das memórias flash).

Spintrônica

Todos os circuitos eletrônicos atuais têm seu funcionamento baseado na carga dos elétrons. Um circuito spintrônico, por sua vez, utiliza a propriedade quântica do spin do elétron, que o faz funcionar como se fosse uma bússola, apontando "para baixo" ou "para cima" (veja mais sobre a spintrônica em Um "giro" diferente no armazenamento de dados do futuro).

STT-RAM

A nova memória, desenvolvida pela empresa Grandis, foi batizada de STT-RAM - "Spin-Transfer Torque RAM", algo como memória de acesso aleatório de transferência de torque por meio do spin.

A transferência de torque por meio da rotação do spin (STT - spin-transfer torque) é um fenômeno físico que foi previsto teoricamente em 1996 e somente testado experimentalmente em 2000. Mas as correntes elétricas necessárias para fazer o chaveamento entre as polaridades magnéticas eram elevadas demais para permitir a fabricação de qualquer dispositivo prático.

O que a Grandis afirma ter feito foi aplicar os benefícios da STT a junções de tunelamento magnético, descobrindo um novo material magnético e novas arquiteturas para fabricação das junções que permitiu a redução drástica das correntes de chaveamento.

O resultado parece ser realmente bom, porque a empresa afirmou que já está enviando amostras de sua STT-RAM para clientes potenciais e que a produção comercial deverá começar em 2008. A gigante IBM reagiu rapidamente e divulgou uma nota à imprensa dizendo ter firmado um contrato com a japonesa TDK para fabricar memórias STT, que deverão chegar ao mercado dentro de quatro anos.





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