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Eletrônica

Novo material gera memória não volátil 500 vezes mais rápida que memória Flash

Redação do Site Inovação Tecnológica - 18/12/2006

Novo material faz memória não volátil 500 vezes mais rápida que memória Flash
A célula, a unidade básica da memória, mede apenas 3 nanômetros de largura por 20 nanômetros de comprimento.
[Imagem: Chen et al.]

Cientistas de um consórcio de empresas formado pela IBM, Macronix e Qimonda anunciaram ter atingido um importante patamar nas pesquisas de um novo tipo de memória não-volátil que promete ser a sucessora das memórias Flash, que hoje equipam "pen-drives", câmeras digitais, tocadores de MP3 e mais uma infinidade de equipamentos portáteis.

Memórias de alteração de fase

A nova memória é chamada de memória de alteração de fase, que é mais rápida e pode ser mais miniaturizada do que as memórias Flash.

Memórias não voláteis são aquelas que não perdem seus dados quando a energia é desligada.

Embora tenham avançado bastante, as memórias não voláteis estão ainda bem aquém, em termos de velocidade de operação, das tradicionais memórias RAM (que perdem os dados quando desligadas) que ocupam os computadores.

A nova memória de alteração de fase, ainda em estágio de protótipo, opera a uma velocidade que é 500 vezes mais rápida do que as memórias Flash e utilizando apenas metade da energia necessária para se gravar em cada célula.

A célula, a unidade básica da memória, mede apenas 3 nanômetros de largura por 20 nanômetros de comprimento.

Liga semicondutora

"Muitos esperam que as memórias Flash encontrem limitações de escala significativas no futuro próximo. Hoje nós apresentamos um novo material para memórias de alteração de fase que tem alto desempenho mesmo em um volume extremamente pequeno," explica o engenheiro T.C.Chen, da IBM.

O novo material é uma complexa liga semicondutora descoberta pela equipe de cientistas do consórcio, trabalhando nos laboratórios da IBM.

O material foi construído a partir de simulações matemáticas que procuravam uma composição ideal especificamente para uso em memórias de alteração de fase.

Bibliografia:

Artigo: Ultra-Thin Phase-Change Bridge Memory Device Using GeSb
Autores: T. C. Chen et alli
Revista: Proceedings of IEDM 2006
Data: December 11, 2006





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