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Eletrônica

As sucessoras das memórias flash

Redação do Site Inovação Tecnológica - 11/03/2003


Hoje, bilhões de microprocessadores em computadores, automóveis, telefones celulares e cartões inteligentes guardam dados e instruções mesmo na falta de energia elétrica, prontos para entrar em operação com o simples apertar de uma tecla "ligar". Quase todos são chips do tipo "flash", um tipo de memória programável e apagável eletricamente. A propriedade de reter dados por anos mesmo na falta de energia, propriedade esta chamada "não volatilidade", é crucial para a maioria dos sistemas eletrônicos, por menos complicados que possam ser.

Memórias Flash

Uma memória flash dá aos computadores as informações necessárias a que ele se inicialize. Em um telefone celular, ela contém as instruções e dados necessários a enviar e receber chamadas, além de armazenar números telefônicos em uma agenda, por exemplo. Quase tão importante quanto sua não volatilidade é a programabilidade da memória flash, o que permite que os usuários adicionem e alterem endereços, números de telefone e mesmos anotações em PDAs. A programabilidade é o que permite que os cartões inteligentes possam ser recarregados e continuamente reutilizados.

Ferroelétricas, magnetoresistivas e ovônicas

Mas as memórias flash estão sendo ameaçadas por tecnologias capazes de provar que podem fazer melhor. As memórias ferroelétricas fundamentam-se em campos elétricos no interior de certos átomos e nas direções que eles apontam. As memórias magnetoresistivas guardam dados como uma das direções do alinhamento de pequenas regiões magnéticas em um material ferromagnético. Um terceiro tipo, a memória unificada ovônica, baseia-se em um material que se alterna entre os estados cristalino e amorfo.

Memórias rápidas

Embora diferentes entre si, estas tecnologias compartilham duas vantagens em relação às atuais memórias flash. Primeiro, elas podem escrever dados em alguns décimos de nanosegundo, tal como as RAM dinâmicas da memória principal dos computadores. Uma memória flash leva pelo menos um nanosegundo para efetuar a gravação. Segundo, as novas memórias podem resistir a reescritas constantes por anos, enquanto que as memórias flash começam a perder dados após cerca de um milhão de ciclos. Embora adequado para cartões e telefones celulares, essa resistência não é suficiente para a memória principal de computadores, sujeitas a reescritas constantes nas células de memória.

Tomadas em conjunto, as memórias flash e DRAM representaram um mercado de US$22 bilhões em 2.002. E deverão atingir US$25 bilhõs em 2.003, cerca de 15% do total de todo o mercado de semicondutores. É por isto que os laboratórios de pesquisa trabalham tão avidamente nas novas tecnologias. A questão que ainda resta é: qual delas terá sucesso?






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