Eletrônica

LED azul sem safira

LED azul sem safira

LEDs azuis são uma novidade ainda recente. Mas eles continuam custando caro. Através de técnicas de deposição por vapor, camadas extremamente finas de nitreto de gálio (GaN) devem ser depositadas em substratos de safira ou carbeto de silício. Além do custo do material, o processo é demorado e também caro.

Pesquisadores da Universidade de Magdeburg (Alemanha), chefiados pelo Dr. A.Dagdar, anunciaram ter conseguido substituir o substrato de safira por silício. Este tem sido um objetivo longamente perseguido pelos cientistas, devido tanto ao baixo custo do silício, quanto à possibilidade de se integrar os LED resultantes com os demais componentes de microeletrônica. As tentativas até agora efetuadas fracassaram devido à grande tensão gerada entre o GaN e o silício, em razão da coincidência de suas estruturas atômicas, o que leva o material produzido a apresentar quebras e falhas.

O método utilizado consistiu na criação inicial de uma camada de AlN (nitreto de alumínio) sobre o silício, a baixa temperatura. A seguir veio uma camada de GaN. Na seqüência de cada camada adicional de GaN foram depositadas duas de AlN. Medições por difração de raios-X mostraram pouca tensão mecânica no material, e não mostraram evidências de quebras.

O LED produzido apresentou dissipação de 152 W a 20 mA, emitindo luz com comprimento de onda na faixa de 455 nanometros. A eficiência ainda é baixa, ao redor de 1%.





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