Eletrônica

Transistor de carbono duas vezes mais rápido do que silício

Transistor de carbono duas vezes mais rápido do que silício

A IBM anunciou, nesta segunda-feira, a criação de transistores de nanotubos de carbono mais rápidos do que os transistores mais modernos já produzidos, feitos à base de silício.

O trabalho foi publicado no jornal Applied Physics Letters, pelo Dr. Phaedon Avouris e mais quatro colegas do laboratório de nanoestruturas da empresa.

A construção de transistores de nanotubos de carbono já havia sido anunciada recentemente. Mas experimentando com diferentes estruturas, os pesquisadores conseguiram atingir a maior transcondutância (medida da capacidade de corrente) já atingida por esses dispositivos.

Alta transcondutância implica que o transistor pode chavear muito mais rapidamente, resultando em circuitos integrados mais rápidos. Os resultados mostraram um rendimento até duas vezes maior do que o atingido pelo transistores de silício.

Segundo o Dr. Avouris, os "nanotubos de carbono já são os principais candidatos para substituir o silício quando os chips não puderem ser mais miniaturizados, uma barreira física que deverá ocorrer nos próximos dez a quinze anos."





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