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Eletrônica

Fita adesiva pode mudar história da eletrônica?

Redação do Site Inovação Tecnológica - 19/09/2013

Fita adesiva pode mudar história da eletrônica
O conceito todo é muito simples, como se pode ver na ilustração, consistindo na deposição sequencial de camadas, cujas moléculas ou nanopartículas são aqui representadas similares a um jogo Tetris.
[Imagem: University of Minnesota]

Fronteiras da eletrônica

Não é de hoje que os especialistas afirmam que a Lei de Moore irá se sustentar até que os transistores batam na faixa dos 10 nanômetros.

Abaixo dessas dimensões, as correntes "vazam", o circuito esquenta, o ruído aumenta - a consequência, para resumir, é que os cálculos começam a dar resultados imprevisíveis.

Mas talvez os limites esteja um pouco abaixo dos 10 nanômetros - que tal 1 nanômetro?

Xiaoshu Chen, com a ajuda de uma equipe da Coreia do Sul e dos EUA, desenvolveu uma técnica que permite fabricar nanoestruturas eletrônicas e ópticas com separações precisas muito finas - as menores têm apenas 1 nanômetro de espessura.

Isto é pelo menos uma ordem de grandeza menor do que qualquer outra técnica permite até agora.

E não foram apenas um ou dois componentes fabricados como prova de conceito - Chen aplicou o processo para fabricar componentes em uma pastilha de silício de 10 centímetros de diâmetro, maior do que a maioria dos chips.

O mais interessante foi o "equipamento de última geração" utilizado para tornar isso possível: uma mera fita adesiva, daquelas que se compra em qualquer papelaria.

É bom não esquecer que foi uma fita adesiva que permitiu a descoberta do grafeno.

O conceito todo é muito simples, como se pode ver na ilustração, consistindo na deposição sequencial de camadas.

No final, a fita adesiva é usada para retirar a camada superior mais saliente, mas não consegue retirar a parte do material dessa camada que adentrou nos canais.

Amplificando a luz

Chen demonstrou que a luz pode ser confinada ao longo dos intervalos entre as estruturas, mesmo que esses intervalos sejam centenas e até milhares de vezes menores do que o comprimento de onda da luz.

Os pesquisadores estão muito interessados em forçar a luz em espaços pequenos porque esta é uma maneira simples de "amplificar" a luz, ou seja, aumentar sua intensidade - as medições registraram intensidades da luz no interior das aberturas até 600 milhões de vezes maiores do que a luz de entrada.

"Nossa tecnologia, chamada litografia de camada atômica, poderá ser usada para criar sensores ultraminiaturizados com maior sensibilidade, e também permitir novas e entusiasmantes experiências em nanoescala, como nunca pudemos fazer antes," disse Sang-Hyun Oh, orientador do trabalho.

"Esta pesquisa também fornece a base para futuros estudos para melhorar a eletrônica e os dispositivos fotônicos," concluiu ele.

Bibliografia:

Artigo: Atomic layer lithography of wafer-scale nanogap arrays for extreme confinement of electromagnetic waves
Autores: Xiaoshu Chen, Hyeong-Ryeol Park, Matthew Pelton, Xianji Piao, Nathan C. Lindquist, Hyungsoon Im, Yun Jung Kim, Jae Sung Ahn, Kwang Jun Ahn, Namkyoo Park, Dai-Sik Kim, Sang-Hyun Oh
Revista: Nature Communications
Vol.: 4, Article number: 2361
DOI: 10.1038/ncomms3361
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