Eletrônica

Memória magnética nasce de baixo para cima, sem nanofabricação

Memória magnética nasce de baixo para cima, sem nanofabricação
Esquema e microfotografia dos nanomagnetos. [Imagem: Jeongmin Hong et al. - 10.1063/1.5033972]

Menores magnetos para memória

É certo que os núcleos de hidrogênio são considerados os menores ímãs conhecidos até agora, mas usar um deles como um componente de uma memória eletrônica está além da tecnologia atual.

Já estes recém-criados nanoímãs - medindo entre 3 e 7 nanômetros de diâmetro - têm tudo para serem utilizados de forma prática em computação porque são acessíveis pela tecnologia atual.

Além de estarem um degrau à frente da geração atual de componentes eletrônicos em termos de miniaturização, eles foram fabricados por automontagem, dispensando a técnica tradicional de litografia, que muitos apostam não conseguirá chegar a essas dimensões.

"A parte mais significativa desta pesquisa é que nós apresentamos células de memória abaixo dos 5 nanômetros com boa estabilidade termal. É um componente chave para uma futura STT-MRAM. Nós usamos um método de automontagem para fazer grânulos nanomagnéticos para armazenamento de informações sem a necessidade da nanofabricação," disse Jeongmin Hong, da Universidade Huazhong de Ciência e Tecnologia, na China.

STT-RAMs são memórias de acesso aleatório de transferência de torque por meio do spin - mais conhecidas como memórias spintrônicas.

Os nanomagnetos consistem em grãos de ferro-platina com um diâmetro médio de 5 nm. Cada nanoímã tem duas direções de magnetização, correspondentes a dois estados (paralelo e antiparalelo) de uma junção de túnel magnético, que forma o bloco de construção básico de uma célula de memória não volátil.

A equipe afirma que já está trabalhando no controle dos nanomagnetos individuais para torná-los acessíveis como células de memória de um chip operacional.

Bibliografia:

Self-assembled single-digit nanometer memory cells
Jeongmin Hong, K. Dong, Jeffrey Bokor, Long You
Journal of Chemical Physics
Vol.: 113, 062404
DOI: 10.1063/1.5033972




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