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Eletrônica

Memória flash inovadora combina grafeno e molibdenita

Redação do Site Inovação Tecnológica - 10/06/2013

Memória flash inovadora combina grafeno e molibdenita
Os dois materiais têm outras coisas em comum, a principal delas sendo que, tanto o grafeno, quanto a molibdenita são folhas bidimensionais.
[Imagem: EPFL]

Molibdenita

Cientistas suíços criaram uma memória flash - do tipo usado em pendrives e cartões de memória - feita não de silício, mas usando um outro material chamado molibdenita.

O feito vem mostrar que a molibdenita definitivamente não é uma curiosidade científica, mas um jogador de peso no campo da eletrônica e de uma apregoada era pós-silício.

Em 2011, a mesma equipe mostrou que a molibdenita supera não apenas o silício, mas também o grafeno.

Há poucos dias, estrearam os primeiros transistores de molibdenita.

Agora, Simone Bertolazzi e seus colegas da Escola Politécnica Federal de Lausanne criaram o protótipo de uma memória flash com o óxido de molibdênio, isto é, uma célula que não apenas guarda dados, mas também os mantém intactos na ausência de eletricidade.

Molibdenita e grafeno

Tal como os transistores de molibdenita recém-demonstrados, a memória flash de MoS2 também usa grafeno.

Além de serem promissores e estarem atraindo um bocado de interesse, os dois materiais têm outras coisas em comum, a principal delas sendo que, tanto o grafeno, quanto a molibdenita são folhas bidimensionais.

Isto lhes dá enorme potencial para a miniaturização, além de flexibilidade, transparência e baixo consumo de energia.

Na verdade, a molibdenita dá ao grafeno justamente aquilo que lhe falta: o comportamento semicondutor, com uma banda de energia ideal em sua estrutura eletrônica.

A célula de memória flash de grafeno e molibdenita também é um transístor, seguindo a geometria do efeito de campo. A célula armazena exatamente um bit de memória.

De acordo com os pesquisadores, como cada um dos dois materiais é o mais fino possível, eles são mais sensíveis às cargas elétricas, o que aumenta muito sua eficiência - e resultam em células de memória e transistores muito menores.

Bibliografia:

Artigo: Nonvolatile Memory Cells Based on MoS2/Graphene Heterostructures
Autores: Simone Bertolazzi, Daria Krasnozhon, Andras Kis
Revista: ACS Nano
Vol.: 7 (4), pp 3246-3252
DOI: 10.1021/nn3059136






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