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Eletrônica

Sinapses eletrônicas: agora em versão orgânica

Redação do Site Inovação Tecnológica - 02/02/2016

Sinapses eletrônicas: agora em versão orgânica
Diagrama do memristor de plástico, cujos componentes principais são compostos orgânicos.
[Imagem: V. A. Demin et al. - 10.1016/j.orgel.2015.06.015]

Computadores inteligentes

O memristor é o quarto componente fundamental da eletrônica, por muito tempo considerado o elo perdido da eletrônica por ser capaz de viabilizar a construção de computadores que aprendem.

Embora tecnicamente semelhante aos resistores, a resistência elétrica em um memristor é dependente da carga elétrica que passa através dele, o que significa que ele altera constantemente suas propriedades em resposta a um sinal externo.

Ou seja, um memristor tem uma memória e, ao mesmo tempo, é capaz de modificar os dados codificados por seu estado de resistência. É isto que torna o memristor similar a uma sinapse, uma conexão entre neurônios no cérebro, capaz de modificar a eficiência da transmissão dos sinais sob a influência da própria transmissão - uma "plasticidade eletrônica", que permite construir redes neurais "verdadeiras".

Agora, esses componentes ficaram ainda mais próximos de seus análogos biológicos.

Memristores orgânicos

Uma equipe da Rússia e da Itália levou os princípios da eletrônica orgânica para esses novos componentes promissores, construindo memristores poliméricos, ou orgânicos.

Usando uma solução de polianilina, um substrato de vidro e eletrodos de cromo, a equipe construiu uma rede neural feita inteiramente de memristores plásticos.

Em comparação com os padrões da eletrônica, os memristores plásticos ainda são enormes, batendo na faixa dos milímetros.

Mas a equipe ressalta que já é o suficiente para pensar em sua utilização em alguns nichos, como visão de máquina, sintetização de voz e outros sistemas sensoriais, e também para sistemas de controle inteligentes em vários campos de aplicação, incluindo robôs autônomos.

Bibliografia:

Artigo: Hardware elementary perceptron based on polyaniline memristive devices
Autores: V. A. Demin, V. V. Erokhin, A. V. Emelyanov, S. Battistoni, G. Baldi, S. Iannotta, P. K. Kashkarov, M. V. Kovalchuk
Revista: Organic Electronics
Vol.: 25, Pages 16-20
DOI: 10.1016/j.orgel.2015.06.015






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