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Informática

STT-MRAM de 128Mb: Memórias spintrônicas a um passo do mercado

Redação do Site Inovação Tecnológica - 02/01/2019

STT-MRAM de 128Mb: Memórias spintrônicas a um passo do mercado
Pelo menos três fabricantes de semicondutores anunciaram o início da fabricação das STT-MRAMs em escala industrial.
[Imagem: Tohoku University]

Memória spintrônica

Uma equipe da Universidade Tohoku, no Japão, desenvolveu uma STT-MRAM de 128Mb.

Uma das tecnologias mais promissoras para uma nova geração de computadores que possa continuar validando a Lei de Moore, as STT-MRAMs são memórias baseadas na tecnologia spintrônica - que usam o spin dos elétrons -, o que essencialmente as coloca na fronteira entre a computação eletrônica atual e a computação quântica.

O termo é um acrônimo em inglês para memória de acesso aleatório magnetorresistiva (MRAM) por transferência de torque por meio da rotação do spin (STT).

O protótipo apresentou velocidade de gravação de 14 nanossegundos para uso em aplicações de memória embarcada, o que inclui de dispositivos rodando aplicações de inteligência artificial a pequenos aparelhos da internet das coisas.

Esta é a velocidade de gravação mais rápida já obtida para aplicativos de memória incorporada com alta densidade, abrindo o caminho para a produção em massa de STT-MRAMs de grande capacidade. Além disso, o chip funciona com uma tensão de apenas 1,2 volt.

As STT-MRAMs operam em alta velocidade e consomem muito pouca energia, além de serem não-voláteis, ou seja, não perderem os dados mesmo quando a energia é desligada. Por isso elas estão ganhando força como a tecnologia de última geração não apenas para memória integrada, mas também como memória principal e até lógica.

Três grandes fabricantes de semicondutores anunciaram ter planos para início da produção em massa de STT-RAMs no curto prazo.

Bibliografia:

Artigo: 14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance >1010 and 10yrs retention@85°C using novel low damage MTJ integration process
Autores: H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S. -Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, Y. Yagi, R. Tamura, Tetsuo Endoh
Revista: Technical Digest. International Electron Devices Meeting 2018






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