Informática

STT-MRAM de 128Mb: Memórias spintrônicas a um passo do mercado

Redação do Site Inovação Tecnológica - 02/01/2019

STT-MRAM de 128Mb: Memórias spintrônicas a um passo do mercado
Pelo menos três fabricantes de semicondutores anunciaram o início da fabricação das STT-MRAMs em escala industrial.[Imagem: Tohoku University]

Memória spintrônica

Uma equipe da Universidade Tohoku, no Japão, desenvolveu uma STT-MRAM de 128Mb.

Uma das tecnologias mais promissoras para uma nova geração de computadores que possa continuar validando a Lei de Moore, as STT-MRAMs são memórias baseadas na tecnologia spintrônica - que usam o spin dos elétrons -, o que essencialmente as coloca na fronteira entre a computação eletrônica atual e a computação quântica.

O termo é um acrônimo em inglês para memória de acesso aleatório magnetorresistiva (MRAM) por transferência de torque por meio da rotação do spin (STT).

O protótipo apresentou velocidade de gravação de 14 nanossegundos para uso em aplicações de memória embarcada, o que inclui de dispositivos rodando aplicações de inteligência artificial a pequenos aparelhos da internet das coisas.

Esta é a velocidade de gravação mais rápida já obtida para aplicativos de memória incorporada com alta densidade, abrindo o caminho para a produção em massa de STT-MRAMs de grande capacidade. Além disso, o chip funciona com uma tensão de apenas 1,2 volt.

As STT-MRAMs operam em alta velocidade e consomem muito pouca energia, além de serem não-voláteis, ou seja, não perderem os dados mesmo quando a energia é desligada. Por isso elas estão ganhando força como a tecnologia de última geração não apenas para memória integrada, mas também como memória principal e até lógica.

Três grandes fabricantes de semicondutores anunciaram ter planos para início da produção em massa de STT-RAMs no curto prazo.

Bibliografia:

14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance >1010 and 10yrs retention@85°C using novel low damage MTJ integration process
H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S. -Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, Y. Yagi, R. Tamura, Tetsuo Endoh
Technical Digest. International Electron Devices Meeting 2018




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